| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными
слоями на основе ZnS
Ю.Н.Бобренко, С.Ю.Павелец, А.М.Павелец
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
(Получена 15 октября 2008 г. Принята к печати 24 октября 2008 г.)
|
Использование сверхтонкой ( нм) стабильной пленки -CuS в качестве прозрачной составляющей гетероперехода -CuS-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов CuSZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdSZnCdS или CdSe(ZnS)(CdSe). При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик -перехода, реализовать большие электрические поля на контакте CuSZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dw, 85.60.Gz |
| PDF версия (621Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |