ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN

И.А.Александров, К.С.Журавлев, В.Г.Мансуров

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 16 октября 2008 г. Принята к печати 17 октября 2008 г.)

Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2.5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы.

PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.05.Ea, 81.07.Ta

 PDF версия (804Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster