ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором

Ю.А.Астров , В.А.Козлов *, А.Н.Лодыгин, Л.М.Порцель,
В.Б.Шуман, E.L.Gurevich +, R.Hergenroder +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* НПО \glqq ФИД-Техника\grqq,
195220 Санкт-Петербург, Россия
+ Institute for Analytical Sciences,
44139 Dortmund, Germany

(Получена 17 ноября 2008 г. Принята к печати 25 ноября 2008 г.)

Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свдительствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси.

PACS: 61.72.sh, 61.72.Yx, 71.55.Cn

 PDF версия (559Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster