ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Плотность каскадов смещений кластерного иона:
методика расчета и влияние на образование
структурных нарушений в ZnO и GaN

П.А.Карасев, А.Ю.Азаров, А.И.Титов, С.О.Кучеев\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Lawrence Livermore National Laboratory,
Livermore, California 94551, USA

(Получена 8 июля 2008 г. Принята к печати 6 октября 2008 г.)

Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PFn (n=0,2,4), с энергией 1.3 кэВ/а.е.м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя.

PACS: 61.80.Jh, 61.80.Az, 61.80.Lj, 61.82.Fk, 61.18.Bn, 78.20.Bh

 PDF версия (813Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster