ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературное получение пленок карбида кремния
различных политипов

А.В.Семенов , В.М.Пузиков, Е.П.Голубова, В.Н.Баумер, М.В.Добротворская

Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина

(Получена 17 сентября 2008 г. Принята к печати 18 сентября 2008 г.)

Изучено влияние температуры на структуру пленок SiC, формируемых в условиях осаждения ионов углерода и кремния с энергией 120 эВ. На основе рентгеноструктурных измерений однозначно установлена тонкая зависимость структуры растущего политипа от температуры подложки. В диапазоне температур 1080-1510oC впервые получена последовательность пленок с политипами 21R, 51R, 27R, 6H. Определено влияние температуры на изменение отношения атомных концентраций Si/C в осаждаемой пленке. С оптимизированными параметрами осаждения выращена пленка со структурой ромбоэдрического политипа 51R.

PACS: 61.46.Hk, 68.55.Ac, 81.15.Jj

 PDF версия (315Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster