ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Солнечные элементы на основе антимонида галлия

В.М.Андреев, С.В.Сорокина, Н.Х.Тимошина, В.П.Хвостиков , М.З.Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 августа 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии из газовой фазы созданы различные варианты структур фотоэлементов на основе GaSb, предназначенных для использования в каскадных преобразователях солнечного излучения. Исследован узкозонный фотоэлемент (GaSb) в составе тандема на основе комбинации полупроводников GaAs-GaSb (два p-n-перехода) и GaInP/GaAs-GaSb (три p-n-перехода). Значения максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в GaSb за широкозонными элементами составляют eta=6.5% (при кратности концентрирования солнечного излучения 275, для спектра AM1.5D, Low AOD).

PACS: 73.50.Pz, 81.15.Lm, 84.60.Jt

 PDF версия (226Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster