ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ширина линии экситонного поглощения в твердых
растворах AlxGa1-xAs

М.С.Маркосов\kern1pt, Р.П.Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 1 октября 2008 г. Принята к печати 7 октября 2008 г.)

Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах AlxGa1-xAs (x=0.15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Gammac=0.32 мэВ и поглощением насыщения Kmax=89.5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры Tc=155 К не превышает 0.2 мэВ. Найдено, что \glqq естественная\grqq ширина линии 1s-экситона не превышает 2.6 мэВ (при T=1.7 К), что согласуется с теоретическими оценками. При T=1.7-60 К неоднородное уширение экситонного максимума, связанное с локализацией и рассеянием экситонов на флуктуациях состава, более чем на порядок превышает вклады ионизированных примесей и фононов и является доминирующим, однако оно не влияет на интегральное поглощение экситонными поляритонами.

PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq

 PDF версия (204Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster