ФТП, 2009, том 43, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические свойства пленок GaN/Al2O3, легированных кремнием

Н.С.Заяц, П.А.Генцарь\kern1pt, В.Г.Бойко, О.С.Литвин,
Н.В.Вуйчик, А.В.Стронский, И.Б.Янчук

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 30 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования NSi=1.5· 1019 см-3), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E0, коэффициент поглощения alpha, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN.

PACS: 61.72.Vv, 81.15.Gh, 78.20.Ci, 78.30.Fs

 PDF версия (667Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster