ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы
на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами

П.А.Иванов, И.В.Грехов, Н.Д.Ильинская, Т.П.Самсонова, А.С.Потапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 24 июня 2008 г. Принята к печати 8 июля 2008 г.)

Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя.

PACS: 73.40.Lq, 85.30.Kk

 PDF версия (2.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster