ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях

В.Г.Мокеров, И.С.Васильевский, Г.Б.Галиев, Ю.Пожела\kern1pt*,, К.Пожела\kern1pt*,
А.Сужеделис\kern1pt*, В.Юцене\kern1pt*, Ч.Пашкевич\kern1pt*

Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
* Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва

(Получена 16 июня 2008 г. Принята к печати 8 июля 2008 г.)

Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al0.36Ga0.64As/In0.15Ga0.85As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In0.15Ga0.85As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs.

PACS: 72.20.Ht, 72.10.Di, 73.40.Kp, 73.63.Hs

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster