ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением

С.В.Булярский, Ю.В.Рудь*,, Л.Н.Вострецова, А.С.Кагарманов, О.А.Трифонов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 апреля 2008 г. Принята к печати 15 сентября 2008 г.)

Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением.

PACS: 71.20.Nr, 71.23.An, 73.50.Gp

 PDF версия (188Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster