ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs

В.В.Курилюк , О.А.Коротченков\kern1pt

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко,
03680 Киев, Украина

(Получена 4 июня 2008 г. Принята к печати 23 июня 2008 г.)

Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO3 с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации.

PACS: 77.65.-j, 78.67.-n, 78.67.De

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster