| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах InS
В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, И.В.Боднарь, Т.Н.Ушакова
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Беларусь
(Получена 31 марта 2008 г. Принята к печати 21 мая 2008 г.)
|
Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-InS, на основе которых созданы фоточувствительные ячейки HO/t-InS, а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек HO/t-InS. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны -InS. Показана возможность применения кристаллов -InS в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов InS. PACS: 73.50.Pz, 78.20.Ci, 85.30.Hi |
| PDF версия (183Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |