ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды
на основе InAsSb (lambdacut off=4.5 мкм)

А.Л.Закгейм\kern1pt*, Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев,
М.А.Ременный, Н.М.Стусь, А.Е.Черняков\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 мая 2008 г. Принята к печати 10 июня 2008 г.)

Проведен анализ инфракрасных \glqq собственных\grqq и в отраженных лучах изображений флип-чип фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAsSb/n+-InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещении p-n-перехода, произведена оценка коэффициентов отражения от омических контактов. Обсуждается влияние глубины травления мезы и степени легирования подложек n+-InAs на спектральные характеристики и чувствительность фотодиодов, освещаемых со стороны n+-InAs в диапазоне 2.7-4.5 мкм.

PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv

 PDF версия (764Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster