ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых
диффузионных p-n-переходов, изготовленных
на микрорельефной поверхности GaAs

А.А.Акопян\kern1pt$, Х.Н.Бахронов\kern1pt*, О.Ю.Борковская\kern1pt$, Н.Л.Дмитрук\kern1pt$, Д.М.Едгорова\kern1pt*,
А.В.Каримов\kern1pt*, Р.В.Конакова\kern1pt$, И.Б.Мамонтова\kern1pt$

$ Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Физико-технический институт НПО \glqq Физика-Солнце\grqq Академии наук Республики Узбекистан,
700084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 21 апреля 2008 г. Принята к печати 30 апреля 2008 г.)

С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p+-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из AlxGa1-xAs, полученным жидкофазной эпитаксией.

PACS: 68.55.Ac, 68.55.Jk, 85.30.Kk, 85.60.Dw

 PDF версия (797Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster