ФТП, 2009, том 43, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565

Р.А.Кастро, В.А.Бордовский, Н.И.Анисимова, Г.И.Грабко

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
191186 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 29 мая 2008 г. Принята к печати 20 июня 2008 г.)

На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника Ge0.285Pb0.15S0.565 впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и энергетического распределения плотности состояний заряженных дефектов. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемой системе недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.

PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv, 73.61.Jc

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster