ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и delta-легированном фосфором

А.В.Бойцов\kern1pt*, Н.А.Берт, В.В.Чалдышев, В.В.Преображенский\kern1pt@, М.А.Путято\kern1pt@, Б.Р.Семягин\kern1pt@

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
@ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 2008 г. Принята к печати 2008 г.)

Методами просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования delta-легированных фосфором (1 монослой) пленок GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 200oC (LT-GaAs) и изохронно отожженных при 400, 500 или 600oC. Из анализа картины муара на электронно-микроскопических изображениях кластеров, сформированных при отжиге, установлено, что их микроструктура и ориентационные соотношения соответствуют таковым для кластеров чистого As в GaAs, и следовательно, при преципитации избыточного мышьяка захвата фосфора из матрицы в формирующиеся кластеры не происходит. Изучение пространственного распределения кластеров по толщине пленки LT-GaAs показало, что изменения концентрации кластеров в окрестности delta-слоев P при использованных условиях выращивания и отжига не наблюдается. Таким образом, фосфор, будучи введенным в пленку LT-GaAs в виде delta-слоев, по своему воздействию на пространственное распределение кластеров As подобен изовалентной примеси Al и отличается от таких изовалентных примесей как In и Sb.

PACS: 81.15.Hi, 68.37.Lp

 PDF версия (312Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster