ФТП, 2009, том 43, выпуск 2: page 257...

ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Наименьшее число пар слоев, необходимое для проявления сателлитной структуры при рентгеновской дифракции на сверхрешетках. Измерения и расчет упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток

Г.Ф.Кузнецов^\kern1pt

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 17 марта 2008 г. Принята к печати 10 мая 2008 г.)

Сверхрешетки типа Al

_xGa

_1-xAs/GaAs

.../(001)GaAs с величиной периода

T>=q100

нм изучены методами рентгеновской дифрактометрии и топографии. Показано, что для проявления в рентгенодифрактометрическом спектре сателлитов, необходимых для идентификации и измерения параметров сверхрешеток на монокристаллической подложке, достаточно нарастить только две пары чередующихся слоев Al

_xGa

_1-xAs/GaAs. Рентгенодифрактометрический метод позволяет обнаруживать и измерять параметры упругодеформированных и пластически деформированных сверхрешеток. Дана теория расчета и рассчитаны величины упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток Al

_xGa

_1-xAs/GaAs

.../(001)GaAs: для

N

₁=10 пар

sigma_2N=4.37·10⁵ Па и

sigma_2N-1=-4.37·10⁷ Па, для

N

₂=2

sigma_2N=6.16·10⁶ Па и

sigma_2N-1=-2.8·10⁷ Па. Напряжение

sigma_2N-1=-4.37·10⁷ Па вызывает пластическую деформацию в слоях твердого раствора сверхрешетки с

N

₁=10.

PACS: 73.21.Cd, 61.05.-a

PDF версия (889Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster