ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Транспорт в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами: низкочастотная отрицательная дифференциальная проводимость и токовые осцилляции

А.А.Андронов, Е.П.Додин, Д.И.Зинченко, Ю.Н.Ноздрин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 3 апреля 2008 г. Принята к печати 22 апреля 2008 г.)

Измерены вольт-амперные характеристики и изучены низкочастотные токовые неустойчивости в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами. В относительно слабых электрических полях обнаружена пилообразная структура вольт-амперных характеристик с чередующимися участками положительной и отрицательной дифференциальной проводимости, спонтанная генерация низкочастотных токовых колебаний со сложным частотным спектром (от дискретного до сплошного). Показано, что наблюдаемые особенности электронного транспорта обусловлены пространственно-временной динамикой доменов электрического поля (диполей и монополей). Наблюдались также эффекты бифуркации, гистерезиса и мультистабильности вольт-амперных характеристик. В сильных полях на вольт-амперных характеристиках наблюдались и идентифицированы регулярные особенности, обусловленные резонансным туннелированием электронов между уровнями ванье-штарковских лестниц, принадлежащих квантовым ямам, разнесенным на несколько периодов.

PACS: 73.21.Cd, 72.20.Ht, 72.30.+q, 73.40.Gk

 PDF версия (429Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster