ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях
квантового эффекта Холла

А.В.Антонов, В.И.Гавриленко, Д.И.Курицын, С.В.Морозов,
К.Е.Спирин\kern1pt, Y.Kawaguchi\kern1pt*, S.Komiyama\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Department of Basic Science, University of Tokyo,
3-8-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8902, Japan

(Получена 25 марта 2008 г. Принята к печати 7 апреля 2008 г.)

Обнаружено, что время релаксация отклика на терагерцовое излучение приемника на циклотронном резонансе в гетероструктуре GaAs/AlGaAs в условиях целочисленного квантового эффекта Холла имеет глубокий минимум в центре холловского плато и два острых максимума на краях плато. Минимум в центре плато связывается с фундаментальным свойством выключения экранирования случайного потенциала примесей в условиях квантового эффекта Холла, а падение времени отклика за пределами плато --- с равновесной заселенностью уровня Ландау над (под) уровнем Ферми электронами (дырками) соответственно, что увеличивает вероятностью рекомбинации фотовозбужденных носителей. Показано, что в условиях фоновой подсветки (300 K) времена релаксаии уменьшаются на 2 порядка при сохранении характерной зависимости от магнитного поля.

PACS: 73.43-f, 77.63.Hs, 73.40.Kp, 76.40+b, 72.30.+q, 71.70.Di

 PDF версия (490Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster