ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перенормировка запрещенной зоны в сильно фотовозбужденных структурах типа II ZnSe/BeTe

С.В.Зайцев, Д.Р.Яковлев *, А.Вааг +

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* Experimentelle Physik II, University of Dortmund,
D-44227 Dortmund, Germany
+ Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University,
D-38106 Braunschweig, Germany

(Получена 17 марта 2008 г. Принята к печати 27 марта 2008 г.)

В гетероструктурах типа II ZnSe/BeTe обнаружен значительный (>0.1 эВ) красный сдвиг края межзонной рекомбинации в слоях ZnSe при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных электронов и дырок ~1013 см-2. Наблюдаемая величина перенормировки запрещенной зоны превосходит значения, предсказываемые многочастичной теорией для случая плотных электронно-дырочных систем типа I при одинаковых концентрациях двумерных носителей. Численные расчеты показали существенное влияние макроскопических электрических полей, индуцируемых разделенными зарядами, на энергию прямого перехода в структуре типа II, что приводит к дополнительному уменьшению энергии перехода. В широких структурах с толщиной слоя ZnSe >~=15 нм происходит ослабление эффекта перенормировки, что связывается с неполным пространственным разделением фотовозбужденных носителей в условиях сильного изгиба зон и ослаблением влияния электрических полей.

PACS: 73.21.Cd, 73.61.Ga, 78.67.-n

 PDF версия (333Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster