ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки

М.М.Панахов, А.А.Агасиев, С.Н.Сармасов

Бакинский государственный университет,
AZ-1148 Баку, Азербайджан

(Получена 28 февраля 2008 г. Принята к печати 15 мая 2008 г.)

Исследовано влияние потенциального барьера сегнетоэлектрической подложки на проводимость пленок PbTe и SnO2-x. Мы изготовили управляемые тонкопленочные резисторы с кратностью 104 и высокой стабильностью, усовершенствовав подготовку поверхности подложки и технологию осаждения пленки.

PACS: 73.50.Dn, 73.50.Pz, 85.50Gk

 PDF версия (120Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster