ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC

П.А.Иванов, А.С.Потапов, Т.П.Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 апреля 2008 г. Принята к печати 28 апреля 2008 г.)

Проанализированы прямые вольт-амперные характеристики неидеальных контактов Шоттки Ti/4H-SiC с коэффициентом неидеальности на экспоненциальном участке характеристик n=1.1-1.2. Неидеальность рассматривается как следствие образования тонкого диэлектрического слоя между напыленным титаном и 4H-SiC. По измеренным вольт-амперным характеристикам определены электрофизические параметры контактов --- высота энергетического барьера, толщина промежуточного диэлектрического слоя, распределение плотности состояний по энергиям на границе раздела диэлектрик/полупроводник.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns

 PDF версия (192Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster