ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии
кремниевых слоев n-типа проводимости
на сильно легированных бором подложках

В.Г.Шенгуров, В.Ю.Чалков, Д.В.Шенгуров *, С.А.Денисов

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 4 февраля 2008 г. Принята к печати 15 февраля 2008 г.)

Эпитаксиальные слои Si n-типа проводимости, легированные фосфором или эрбием, были выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500oC на сильно легированных бором p+-подложках, с удельным сопротивлением rho=0.005 Ом·см. Профили распределения концентрации примесей B, Er и O в выращенных образцах определялись методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Термический отжиг подложки при 1300oC в течение 10 мин в вакууме и выращивание при очень низкой температуре подложки дают возможность достичь экстремально резкого профиля легирующих примесей на границе раздела слой--подложка. Этот метод выращивания n-p+-переходов значительно улучшает их электрические и люминесцентные характеристики.

PACS: 73.40.Lq, 81.15.Hi

 PDF версия (944Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster