ФТП, 2009, том 43, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия проводимости в легированных монокристаллах Bi2Te3

Н.А.Абдуллаев, С.Ш.Кахраманов, Т.Г.Керимова, К.М.Мустафаева, С.А.Немов+

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ-1143 Баку, Азербайджан
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 марта 2008 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

Исследованы температурные зависимости (диапазон температур T=0.5-300 K) удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также гальваномагнитные эффекты в нелегированных и легированных монокристаллах Bi2Te3 (магнитное поле H<80 кЭ, T=0.5-4.2 K). Показано, что при легировании Bi2Te3 атомами III группы (индием и бором) анизотропия проводимости повышается главным образом за счет увеличения удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям. Это позволяет предположить, что атомы этих примесей при легировании в основном внедряются в ван-дер-ваальсовы щели между слоями. Выявлено также, что при легировании Bi2Te3 индием и бором температурная зависимость подвижности ослабляется, что свидетельствует о повышении в механизмах рассеяния роли процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей, площади экстремального сечения поверхности Ферми плоскостью, перпендикулярной направлению магнитного поля, и энергии Ферми.

PACS: 72.20.Fr, 72.20.My, 72.80.Jc, 73.20.Fz

 PDF версия (488Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster