ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров
в процессе анодного электрохимического травления

Д.Ф.Тимохов\kern1pt, Ф.П.Тимохов\kern1pt*

Одесский национальный политехнический университет,
UA-65000 Одесса, Украина
* Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова,
UA-65026 Одесса, Украина

(Получена 19 ноября 2007 г. Принята к печати 16 января 2008 г.)

Исследованы возможные пути повышения квантового выхода фотолюминесценции слоев пористого кремния. Изучено влияние параметров анодного электрохимического травления на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, полученных на подложках кремния с различной кристаллографической ориентацией. По спектрам фотолюминесценции пористого кремния рассчитаны средние диаметры нанокластеров кремния. Обнаружен эффект влияния кристаллографической ориентации исходной кремниевой подложки на квантовый выход фотолюминесценции пористого кремния. Предложен механизм влияния кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния, образующегося в процессе анодного электрохимического травления.

PACS: 78.55.Mb, 61.46.Hk, 82.33.Ln

 PDF версия (207Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster