ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs

В.А.Кагадей, Е.В.Нефедцев\kern1pt

Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук,
634055 Томск, Россия

(Получена 10 декабря 2007 г. Принята к печати 21 апреля 2008 г.)

Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда и активной легирующей примеси в приповерхностной области GaAs p-типа в процессе гидрогенизации. Численный эксперимент выполнен на базе развернутой математической модели с минимальными упрощениями. Обсуждаются закономерности накопления и транспорта частиц водорода и роль в этих процессах электрического поля. Численными и аналитическими расчетами обосновывается малая эффективность образования комплексов водород--(легирующая примесь) при типичных температурах гидрогенизации GaAs (T>150oC).

PACS: 61.72.Cc, 66.30.Ma, 68.35.bg, 61.72.J\_, 61.72.S\_

 PDF версия (318Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster