| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Дисковые WGM-лазеры ( мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме
Н.С.Аверкиев, А.П.Астахова, Е.А.Гребенщикова, Н.Д.Ильинская, К.В.Калинина, С.С.Кижаев,
А.Ю.Кислякова, А.М.Монахов, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 9 июня 2008 г. Принята к печати 20 июня 2008 г.)
|
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений созданы инфракрасные полупроводниковые WGM-лазеры на длину волны 3.04 мкм на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме. Изучены спектры излучения в интервале температур от 77 до 125 К. Лазеры имеют пороговый ток 25 мА при температуре 77 К. Созданные WGM-лазеры работают также в импульсном режиме до 125 К. Обнаружено существенное расширение динамического диапазона работы дисковых лазеров вплоть до токов, превышающих пороговый в 200 раз. PACS: 85.30.-z, 42.79.-e, 42.55.Px |
| PDF версия (690Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |