ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О селекции мод в поперечных волноводах
полупроводниковых лазеров на основе
асимметричных гетероструктур

С.О.Слипченко , А.Д.Бондарев, Д.А.Винокуров, Д.Н.Николаев, Н.В.Фетисова,
З.Н.Соколова, Н.А.Пихтин, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 2 июня 2008 г. Принята к печати 16 июня 2008 г.)

Исследованы асимметричные Al0.3Ga0.7As/GaAs/InGaAs-гетероструктуры с расширенным волноводом, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что прецизионное смещение активной области к одному из эмиттеров обеспечивает генерацию выбранной моды высшего порядка в поперечном расширенном волноводе. Экспериментально доказано, что это приводит к увеличению внутренних оптических потерь и снижению внутреннего квантового выхода стимулированного излучения. Экспериментально установлено, что смещение активной области к n-эмиттеру определяет сублинейный характер ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров, при смещении активной области к p-эмиттеру лазерные диоды демонстрировали линейную зависимость оптической мощности во всем интервале токов накачки.

PACS: 42.55.Px, 79.60.Jv

 PDF версия (273Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster