ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния

В.В.Болотов, Ю.А.Стенькин\kern1pt, Н.А.Давлеткильдеев, О.В.Кривозубов, И.В.Пономарева

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова
Сибирского отделения Российской академии наук,
644018 Омск, Россия

(Получена 27 декабря 2007 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности слоев пористого кремния на подложке p-Si, полученных анодным травлением в электролите с добавлением свободных галогенов (бром, йод) и галогенидов калия (KCl, KI). Установлено, что присутствие галогенов в электролите способствует формированию крупных пор диаметром до 150 нм. Механизм увеличения размеров пор при участии галогенов связывается с ростом концентрации свободных дырок за счет образования донорно-акцепторных пар при адсорбции галогенов на поверхности кремния.

PACS: 61.43.Gt, 68.55.Jk, 68.37.Ps

 PDF версия (513Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster