ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур AIIBVI

М.М.Зверев, Н.А.Гамов, Е.В.Жданова, Д.В.Перегудов, В.Б.Студенов, И.В.Седова*,
С.В.Гронин*, С.В.Сорокин*, С.В.Иванов*, П.С.Копьев*

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики,
119454 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 20 мая 2008 г. Принята к печати 30 мая 2008 г.)

Исследованы параметры излучения полупроводникового Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера с активной областью на основе 10 эквидистантно расположенных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками квантовых точек CdSe и волноводом в виде короткопериодной сверхрешетки общей толщиной ~0.65 мкм при накачке электронным пучком. При комнатной температуре получены значения импульсной оптической мощности до 12 Вт с одного торца резонатора на длине волны 542 нм с рекордно высокой эффективностью ~8.5% при энергии пучка электронов 23 кэВ.

PACS: 42.55.Px, 68.65.Hb, 81.05.Dz, 81.15.Hi, 68.37.Hk, 85.35.Be

 PDF версия (364Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster