ФТП, 2008, том 42, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

В.Н.Жмерик, А.М.Мизеров, Т.В.Шубина, А.В.Сахаров, А.А.Ситникова, П.С.Копьев,
С.В.Иванов, Е.В.Луценко*, А.В.Данильчик*, Н.В.Ржеуцкий*, Г.П.Яблонский*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт общей физики им. Б.Я. Степанова Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия

(Получена 13 марта 2008 г. Принята к печати 21 мая 2008 г.)

Исследованы особенности молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) соединений AlGaN при относительно низких температурах подложки (до 740oC) и различных стехиометрических условиях роста: азот- и металлобогащенных. Впервые при МПЭ ПА наноструктур с квантовыми ямами (КЯ) AlxGa1-xN/AlyGa1-yN использована дискретная субмонослойная эпитаксия для формирования КЯ и электронных блокирующих слоев без изменения потоков компонентов. Исследованы структурные и оптические свойства слоев AlxGa1-xN в полном диапазоне составов (x=0-1) и наногетероструктур на их основе, демонстрирующих фотолюминесценцию при комнатной температуре с минимальной длиной волны 230 нм. На основании анализа спектров фотолюминесценции объемных слоев и наногетероструктур и их температурных зависимостей делается вывод о наличии локализованных состояний в КЯ. С использованием металлобогащенных условий роста на подложках c-Al2O3 получены гетероструктуры для светодиодов с КЯ AlxGa1-xN/AlyGa1-yN (x=0.4-0.5, y=x+0.15), демонстрирующие электролюминесценцию в ультрафиолетовой области излучения с длиной волны 320 нм.

PACS: 85.35.Be, 81.15.Hi, 81.40.Tv, 78.67.De, 81.07.St, 68.43.Nr

 PDF версия (883Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster