ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN
при высокой плотности тока

Н.И.Бочкарева , Р.И.Горбунов, А.В.Клочков, Ю.С.Леликов, И.А.Мартынов,
Ю.Т.Ребане, А.С.Белов, Ю.Г.Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 марта 2008 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

Проведены измерения вольт-амперных, вольт-яркостных характеристик и спектров электролюминесценции голубых светодиодов на основе InGaN/GaN с целью выяснения природы падения эффективности при высоких плотностях тока и высоких температурах. Обнаружено, что линейное увеличение интенсивности излучения при увеличении тока инжекции сменяется сублинейным, приводя к падению эффективности по мере того как наблюдаемая энергия фотона удаляется от порога подвижности. Интенсивность излучения уменьшается при увеличении температуры, когда наблюдаемая энергия фотона приближается к порогу подвижности, приводя к падению эффективности при перегреве. Максимум спектра электролюминесценции сдвигается к меньшим энергиям фотона при увеличении температуры из-за сужения запрещенной зоны. Результаты объясняются с учетом того, что заполнение хвостов плотности состояний в InGaN происходит не только в результате захвата свободных носителей заряда, но и в результате туннельного перехода в состояния хвоста. Падение эффективности при высоких токах связывается с уменьшением туннельной инжекции и увеличением утечки через безызлучательный канал \glqq под\grqq квантовой ямой.

PACS: 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.60.Jb

 PDF версия (279Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster