ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле

Е.А.Боброва , Н.М.Омельяновская *

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 7 февраля 2008 г. Принята к печати 18 февраля 2008 г.)

Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO2. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO2.

PACS: 73.40.Qv, 81.40.Rs, 85.30.De

 PDF версия (127Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster