ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Измерение коэффициента поглощения света,
распространяющегося латерально в светодиодных
структурах с квантовыми ямами In0.2Ga0.8N/GaN

Ю.С.Леликов, Н.И.Бочкарева, Р.И.Горбунов, И.А.Мартынов,
Ю.Т.Ребане, Д.В.Тархин, Ю.Г.Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 декабря 2007 г. Принята к печати 16 января 2008 г.)

Предложена методика измерения коэффициента поглощения света, распространяющегося параллельно поверхности светодиодного чипа на основе GaN на сапфировой подложке. Метод основан на микроскопическом изучении свечения одного торца чипа при освещении противоположного торца светодиодом. Коэффициент поглощения вычислялся из отношения интенсивностей свечения торцов сапфира и эпитаксиального слоя. Из измерений на чипах на основе структур p-GaN/In0.2Ga0.8N/n-GaN получено значение латерального коэффициента поглощения света (23± 3) см-1 на длине волны 465 нм. Анализируются возможные причины отличия полученного значения коэффициента поглощения от приводимых в литературе.

PACS: 78.20.Ci, 78.60.Fi, 78.66.Fd, 85.60.Jb

 PDF версия (384Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster