ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности световых вольт-амперных характеристик p-i-n-структур на аморфном кремнии при туннельно-дрейфовом механизме переноса темнового тока

А.А.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 января 2008 г. Принята к печати 12 февраля 2008 г.)

Экспериментально изучены световые и темновые вольт-амперные характеристики p-i-n-структур на аморфном кремнии (alpha-Si : H) с малыми диффузионными длинами дырок (меньше толщины i-слоя p-i-n-структуры). Показано, что прямые ветви темновых вольт-амперных характеристик таких структур могут быть описаны присущей диодам инжекционной зависимостью с фактором неидеальности диода, в 2--3 раза превышающим максимальное значение 2, предсказываемое теорией для генерационно-рекомбинационных токов в p-n-переходе. Темновой ток всегда оказывается много меньше фототока ячейки при смещении порядка напряжения холостого хода фотоячейки. Темновые токи не могут участвовать в формировании световой вольт-амперной характеристики. Спад фототока с увеличением фотонапряжения при смещении, меньшем напряжения холостого хода, определяется не темновой инжекцией, а снижением коэффициента собирания и возрастающей ролью обратной диффузии электронов в p-контакт. В случае смещения выше напряжения холостого хода обратная диффузия становится доминирующей компонентой тока.

PACS: 61.43.Dq, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 84.60.Jt

 PDF версия (159Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster