ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

А.В.Войцеховский\kern1pt*, С.Н.Несмелов\kern1pt*, С.М.Дзядух\kern1pt*, В.С.Варавин\kern1pt+, С.А.Дворецкий\kern1pt+,
Н.Н.Михайлов\kern1pt+, Ю.Г.Сидоров\kern1pt+, В.В.Васильев\kern1pt+

* Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 14 июня 2007 г. Принята к печати 5 февраля 2008 г.)

Экспериментально исследовано влияние приповерхностных варизонных слоев на электрические характеристики МДП структур, созданных на основе гетероэпитаксиального Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с двухслойным диэлектриком SiO2/Si3N4 и анодной окисной пленкой. Показано, что в вольт-фарадных характеристиках структур с варизонными слоями наблюдается большая модуляция емкости (глубина и ширина провала), чем для структур без варизонного слоя. Полевые зависимости фотоэдс МДП структур с варизонными слоями у поверхности имели классический вид и характеризовались спадом только в области обогащения. Для структур без варизонного слоя с x=0.22 в области сильной инверсии наблюдался спад зависимости фотоэдс от напряжения, обусловленный ограничением дифференциального сопротивления области пространственного заряда процессами туннельной генерации через глубокие уровни. Исследованы свойства границ раздела HgCdTe--диэлектрик.

PACS: 72.40.+w, 73.40.Qv, 72.80.Sk, 73.20.At

 PDF версия (286Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster