ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe
при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ

З.Д.Ковалюк , О.А.Политанская, О.Н.Сидор, В.Т.Маслюк *

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича
Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение,
58001 Черновцы, Украина
* Институт электронной физики Национальной академии наук Украины,
88017 Ужгород, Украина

(Получена 21 ноября 2007 г. Принята к печати 24 января 2008 г.)

Исследовано влияние высокоэнергетических электронов (E=12.5 МэВ) на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe и p-GaSe-n-InSe. Обнаруженные изменения вольт-амперных характеристик, спектров фотоотклика, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания структур обусловлены образованием точечных дефектов. Отсутствие особых изменений характеристик исследуемых гомо- и гетеропереходов даже при максимальной дозе облучения позволяет рекомендовать их для создания радиационно стойких фотодетекторов.

PACS: 61.80.Fe, 61.82.Fk, 72.20.Jv, 72.40.+w, 73.40.Lq

 PDF версия (304Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster