ФТП, 2008, том 42, выпуск 11: page 1318...

ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Роль спонтанной поляризации в формировании структур $NH$ -SiC/ $3C$ -SiC/ $NH$ -SiC на основе политипов карбида кремния

С.Ю.Давыдов^\kern1pt, А.В.Трошин^\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
^* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 февраля 2008 г. Принята к печати 13 февраля 2008 г.)

Рассмотрено влияние электростатического поля, возникающего вследствие наличия спонтанной поляризации в гексагональных обкладках гетероструктуры на основе политипов карбида кремния

NH

-SiC/3

C

-SiC/

NH

-SiC, на взаиморасположение энергетических зон. Показано, что возникающая в системе асимметрия связана с суперпозицией поляризационного и контактного полей.

PACS: 73.20.At, 73.21.Fg, 77.84.Bw

PDF версия (90Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster