ФТП, 2008, том 42, выпуск 11: page 1314...

ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Образование омических контактов к низкоомному Cd_1-xMg_xTe для фотовольтаических применений

О.А.Парфенюк , М.И.Илащук, К.С.Ульяницкий

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 19 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Исследованы электрофизические свойства твердых растворов Cd

_1-xMg

_xTe разного состава (

0.1=< x=<0.3

). Установлено, что при

x=0.1

образуется низкоомный материал

p

-типа проводимости, близкий по своим параметрам к нелегированному CdTe. Особенностью кристаллов Cd

_0.9Mg

_0.1Te является то, что при осаждении на их поверхность меди из насыщенного раствора CuSO

₄ образуется омический контакт, характеристики которого не ухудшаются в широком температурном интервале (

80-300

K). Исследование световых и темновых характеристик структур Cu/

p

-Cd

_0.9Mg

_0.1Te/

n

-Cd

_0.9Mg

_0.1Te/In показало их перспективность в качестве фотопреобразователей солнечного света.

PACS: 72.80.Ey, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 81.05.Dz, 85.40.Ls