ФТП, 2008, том 42, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронный парамагнитный резонанс
взаимодействующих спинов в n-Ge
II. Изменение ширины и формы линий

А.И.Вейнгер, А.Г.Забродский, Т.В.Тиснек , С.И.Голощапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 марта 2008 г. Принята к печати 11 марта 2008 г.)

Исследовано влияние взаимодействия спинов на ширину и форму линии электронного парамагнитного резонанса в компенсированном и некомпенсированном n-Ge : As. При ориентации магнитного поля вдоль оси [100] независимо от степени компенсации ширина резонансной линии уменьшается с приближением к критической концентрации для фазового перехода изолятор--металл в результате усиления обменного взаимодействия спинов и увеличения времени спиновой релаксации. Когда магнитное поле направлено вдоль других осей, в компенсированных образцах возникает добавочное уширение линии, которое определяется влиянием на g-фактор флуктуаций внутреннего электростатического поля через вызванные ими напряжения. Для хорошо проводящих образцов, когда толщина скин-слоя становится меньше толщины образца, линия приобретает несимметричную (дайсоновскую) форму. При этом характерное для такой формы линии отношение крыльев производной определяется отношением скоростей диффузии спина и его релаксации.

PACS: 71.20.Mg, 71.30.th,76.30.Da

 PDF версия (258Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster