ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние уровня возбуждения на оптические свойства микродиска GaAs-AlGaO с активной областью на основе квантовых точек InAs

А.М.Надточий\kern1pt, С.А.Блохин\kern1pt$, А.В.Сахаров, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, Н.Ю.Гордеев,
М.В.Максимов, В.М.Устинов\kern1pt$, Н.Н.Леденцов\kern1pt*, Е.Шток\kern1pt*, Т.Варминг\kern1pt*, Д.Бимберг\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$ Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
* Берлинский технический университет,
D-10623 Берлин, Германия

(Получена 21 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Методом спектроскопии микрофотолюминесценции исследовано влияние уровня оптического возбуждения на интенсивность и ширину линий мод шепчущей галереи в микродисках с асимметричным волноводом воздух/GaAs/AlGaO и активной областью на основе квантовых точек InAs. При высоких уровнях накачки обнаружены перегрев активной области, приводящий к длинноволновому сдвигу спектра усиления, а также изменение формы спектра за счет насыщения основного и возбужденных состояний и влияния многочастичного взаимодействия. Вследствие данных эффектов спектральное положение мод шепчущей галереи относительно максимумов спектра усиления определяет характер зависимости их интенсивности и ширины линии от плотности мощности оптической накачки, который может сильно различаться для разных мод. Длинноволновый сдвиг линий мод шепчущей галереи, вызванный перегревом активной области, частично компенсируется коротковолновым сдвигом, обусловленным влиянием концентрации свободных носителей на эффективный коэффициент преломления волновода.

PACS: 42.60.Da, 78.40.Fy, 78.67.Hc, 85.35.Be

 PDF версия (554Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster