ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сравнительный анализ предельной эффективности фотопреобразования обычных солнечных элементов
и солнечных элементов с квантовыми ямами

А.В.Саченко, И.О.Соколовский

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 8 октября 2007 г. Принята к печати 17 декабря 2007 г.)

Предложен аналитический подход к расчету предельной эффективности фотопреобразования eta в солнечных элементах с квантовыми ямами и проведено сравнение величины eta с предельной эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. В указанном подходе наряду с объемной рекомбинацией учтена \glqq поверхностная\grqq рекомбинация, происходящая на границах раздела барьерный полупроводник-квантовая яма. Проанализированы особенности формирования эдс разомкнутой цепи в p-i-n-структурах на основе кремния (с большими значениями времен жизни неравновесных носителей заряда) и на основе арсенида галлия (с малыми значениями времен жизни неравновесных носителей заряда).

PACS: 73.63.Hs, 84.60.Jt, 71.55.Cn, 71.55.Eq

 PDF версия (272Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster