ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Число Лоренца и фактор Холла в вырожденных полупроводниках при резонансном рассеянии носителей тока

Л.В.Прокофьева\kern1pt, А.А.Шабалдин, В.А.Корчагин\kern1pt*, С.А.Немов\kern1pt*, Ю.И.Равич\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

В сильно вырожденных полупроводниках вследствие сильной зависимости времени релаксации от энергии при резонансном рассеянии носителей число Лоренца L и фактор Холла AR существенно отличаются от универсальных постоянных pi2/3 и 1 соответственно. Величины L и AR вычисляются при различных значениях ширины резонансной примесной полосы, заполнения полосы носителями тока и относительного вклада резонансного рассеяния. Обсуждаются имеющиеся в литературе данные о ширине полосы примесных состояний таллия в теллуриде свинца, где наблюдалось сильное резонансное рассеяние дырок. Ранее полученные данные об энергии резонансных состояний Tl в PbTe корректируются с учетом вычисленного фактора Холла. Анализ экспериментальных данных по зависимости теплопроводности PbTe : Tl от температуры и содержания дополнительной примеси  Na, во-первых, показывает, что рассеяние фононов на областях поляризации вокруг заряженных примесных атомов пренебрежимо мало, во-вторых, подтверждает результаты теоретических расчетов числа Лоренца при доминирующем резонансном рассеянии дырок.

PACS: 71.20.Nr, 72.10.Fk, 72.15.Jf

 PDF версия (427Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster