ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О параметрах образования вакансий в кристаллах подгруппы углерода

М.Н.Магомедов

Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия

(Получена 12 июля 2007 г. Принята к печати 5 февраля 2008 г.)

Рассчитаны параметры образования вакансий в кристаллах элементов подгруппы углерода: Cdiam, Si, Ge, alpha-Sn, Pb. Методика учитывает как квантовые эффекты при низких температурах, так и делокализацию атомов при высоких температурах. Показано, что учет делокализации атомов увеличивает значения энтальпии, энтропии и объема образования вакансии. При низких температурах параметры образования вакансий сильно зависят от температуры, причем энтропия образования вакансий переходит в отрицательную область значений. В области высоких температур получено хорошее согласие как с экспериментальными данными, так и с теоретическими оценками других авторов. Изучена зависимость вакансионных параметров от температуры при изобарическом нагреве алмаза от 100 до 4500 K. Обсуждены границы применимости уравнения Аррениуса с независимой от температуры энергией активационного процесса. Показано выполнение \glqq компенсационного правила\grqq (корреляции энтропии и энтальпии образования вакансии) и корреляции объема и энтропии образования вакансии на всем изученном температурном интервале.

PACS: 61.72.Bb, 61.72.jd, 66.30.Fq

 PDF версия (367Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster