ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния

Г.А.Качурин, С.Г.Черкова, Д.В.Марин, А.К.Гутаковский, А.Г.Черков, В.А.Володин

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 14 января 2008 г. Принята к печати 21 января 2008 г.)

Исследовано действие облучения ионами He+, F+ и P+ разных энергий на фотолюминесценцию и структуру нанокристаллов Si. Установлено, что при малых интенсивностях торможения ионов гашение фотолюминесценции обеспечивается единичными атомными смещениями. Однако с ростом интенсивности гашение сопровождается увеличением ядерных потерь. Считается, что в разреженных каскадах смещений подвижные дефекты преимущественно стекают к поверхности, где образуют центры безызлучательной рекомбинации. В плотных же каскадах они частично формируют стабильные структурные нарушения внутри нанокристаллов. Для аморфизации нанокристаллов Si при 20oC достаточно накопить ~0.06 dpa, причем зависимости от интенсивности торможения ионов здесь не обнаружено. Отмечена малая вероятность аннигиляции вакансий и междоузлий внутри нанокристаллов Si, объясняемая наличием энергетического барьера.

PACS: 61.46.Hk, 61.80.Jh, 61.72.Tt, 78.55Ap, 81.40.Wx

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster