ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция нанокластеров GeSi/Si,
формирующихся в процессе сублимационной
молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа

Д.О.Филатов\kern1pt, М.В.Круглова, М.А.Исаков, С.В.Сипрова, М.О.Марычев,
В.Г.Шенгуров\kern1pt+, В.Ю.Чалков\kern1pt+, С.А.Денисов\kern1pt+

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
+ Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 18 декабря 2007 г. Принята к печати 29 декабря 2007 г.)

Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции гетероструктур GeSi/Si(001) с нанокластерами, формирующимися в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4, от условий роста. Установлено, что зарождение кластеров происходит по механизму Странски-Крастанова, однако при дальнейшем росте существенное влияние на их морфологию оказывают процессы коалесценции. Наблюдалось удвоение линий фотолюминесценции в нанокластерах, связанное с излучательной рекомбинацией в объеме кластеров, а также голубое смещение линий с увеличением времени роста, связанное с диффузией Si из подложки в объем кластеров. Определены условия получения однородных массивов нанокластеров, излучающих при комнатной температуре.

PACS: 61.46.Bc, 61.46.Hk, 68.55.Jk, 78.66.Db, 78.67.Bf, 81.15.Hi

 PDF версия (1.0Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster