ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические и структурные свойства двусторонне delta-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs

И.С.Васильевский\kern1pt, Г.Б.Галиев, Е.А.Климов, В.Г.Мокеров,
С.С.Широков, Р.М.Имамов\kern1pt*, И.А.Субботин\kern1pt*

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
* Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия

(Получена 17 сентября 2007 г. Принята к печати 17 декабря 2007 г.)

Проведена оптимизация используемой для создания мощных транзисторов двусторонне delta-легированной кремнием псевдоморфной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/AlGaAs для получения высокой концентрации ns и подвижности двумерного электронного газа в квантовой яме (ns~3·1012 см-2). На выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии образцах с различным уровнем легирования проведены исследования электрофизических и структурных характеристик. Показано, как при увеличении легирования изменяется подвижность и концентрация электронов при последовательном заполнении подзон размерного квантования. Для анализа распределения электронов в подзонах гетероструктуры исследовались осцилляции Шубникова--де-Гааза при температуре жидкого гелия. Качество слоев гетероструктур оценено с помощью рентгенодифракционных измерений. Данные спектроскопии фотолюминесценции хорошо согласуются с расчетами зонной структуры.

PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 73.63.Hs, 78.67.De, 73.43.Qt, 61.10.Nz

 PDF версия (410Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster