| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Барические свойства квантовых точек InAs
Б.В.Новиков, Г.Г.Зегря, Р.М.Пелещак, О.О.Данькив, В.А.Гайсин,
В.Г.Талалаев, И.В.Штром, Г.Э.Цырлин
Институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко,
82100 Дрогобыч, Украина
Max-Planck Institute of Microstructure Physics,
06120 Halle, Germany
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 20 ноября 2007 г. Принята к печати 5 декабря 2007 г.)
|
В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны барические зависимости энергетической структуры квантовых точек InAs в матрице GaAs. В предположении отсутствия взаимодействия между квантовыми точками, имеющими сферическую форму и одинаковые размеры, найдена зависимость барического коэффициента энергии излучательного перехода в квантовой точке от величины энергии. Подобная зависимость обнаружена также экспериментально в спектрах фотолюминесценции при всестороннем сжатии структур InAs/GaAs. Обсуждаются качественное согласие теории и эксперимента, а также возможные причины их количественного различия. Делается вывод о вкладе в это различие таких факторов, как дисперсия размеров, кулоновское взаимодействие носителей заряда и туннельное взаимодействие квантовых точек. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.40. Tv |
| PDF версия (359Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |