ФТП, 2008, том 42, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Состав и параметры доменов, образующихся
в результате спинодального распада четверных
твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/GaxIn1-xAsyP1-y/GaInP/GaAs(001)

Э.П.Домашевская , Н.Н.Гордиенко, Н.А.Румянцева, П.В.Середин, Б.Л.Агапов,
Л.А.Битюцкая, И.Н.Арсентьев *, Л.С.Вавилова *, И.С.Тарасов *

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 11 декабря 2007 г. Принята к печати 17 декабря 2007 г.)

Исследованы структурные и оптические свойства двухслойных и трехслойных эпитаксиальных гетероструктур, содержащих слои четверного твердого раствора GaxIn1-xAsyP1-y. В трехслойных гетероструктурах обнаружено образование доменов в результате спинодального распада четверного твердого раствора. В результате в спектрах фотолюминесценции возникает дополнительная длинноволновая полоса, а на дифрактограммах линии (006) появляется дополнительный дублет CuKalpha1,2-линии. На основании закона Вегарда и уравнения Куфала определены составы доменов.

PACS: 64.75.+g, 81.30.-t, 81.15.-z, 78.55.Cr, 61.10.Nz

 PDF версия (1.4Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster